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TRANSISTORES » RADIOFRECUENCIA

RADIOFRECUENCIA
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2N2369A NPN 0.2A 15V CASE TO-18

2N2369A NPN 0.2A 15V CASE TO-18

(---------TRA0505)

GENERICO

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2N3553 PO 2.5 PI 0.25W 30-200 MHZ 28V CASE TO-205
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2N3866 NPN 400MA 30V 5W 500MHZ TO-39 CASE

2N3866 NPN 400MA 30V 5W 500MHZ TO-39 CASE

(---------TRA0003)

MOTOROLA
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3866 is a Silicon NPN RF Transistor, mounted in a hermetically sealed package,
designed for high frequency amplifier and oscillator applications
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2N4093 J-FET CANAL N 8MA 40V TO-18
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2N4093 N-CHANNEL 10MA 1.8W JFET SWITCH TO-18 CASE
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2N4401 (NPN) SMALL SIGNAL TRANSISTOR  TO-92 CASE

2N4401 (NPN) SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92 CASE

(---------TRA0483)

GENERICO
Features
• NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and
amplifier applications.
• As complementary type, the PNP transistor
2N4403 is recommended.
• On special request, this transistor is also manufactured
in the pin configuration TO-18.
• This transistor is also available in the SOT-23 case
with the type designation MMBT4401.
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2N4403

(---------TRA1354)

GENERICO

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2N4427 PO1W PI0.1W 175MHZ 12V VHF OSCILLATOR POWER AMPLIFIER TO-39 CASE

2N4427 PO1W PI0.1W 175MHZ 12V VHF OSCILLATOR POWER AMPLIFIER TO-39 CASE

(---------TRA0218)

MOTOROLA
VHF OSCILLATOR POWER AMPLIFIER
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2N5179 NPN 300MW 50MA 20V 500MHZ TO-72 CASE
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2N5589 PO3W PI0.35W 175MHZ 12V T71145A
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2N5590 PO10W PI3W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N5591 PO25W PI10W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N5641 PO7W PI1W 30-200MHZ 28V 144B-05
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2N5642 PO20W PI3W 30-200MHZ 28V 145A-09
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2N5643 PO40W PI6.9W 30-200MHZ 28V 145A
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2N5944 PO2W PI0.18W 400-512MHZ 12.5V
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2N5945 PO4W PI0.6W 400-512MHZ 12.5V244
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2N5946 PO10W PI1W 400-512MHZ 12.5V244
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2N6080 PO4W PI0.1W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N6081 PO15W PI3.5W 175MHZ 12.5V 145A
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2N6082 PO25W PI6W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N6083 PO30W PI8W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N6084 PO40W PI14W 175MHZ 12.5V 145A-09
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2N6255 PO3W PI0.8W 175MHZ 12.5V TO-39
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2N6262 NPN HIGH VOLTAGE SILICON TO-3 CASE

(---------TRA1069)

GENERICO
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
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2N6985 PO125W PI20W 100-400MHZ 28V382
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2N6986 PO100W PI18W 100-500MHZ 28V382
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2N918A NPN RF/IF UHF/BFH VITD AMP

(---------TRA0504)

GENERICO

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2SA1306

(---------TRA1522)

GENERICO

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2SA826

(---------TRA6923)

GENERICO

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2SC1729 PO16W PI1.4W 175MHZ 12.5V T-31
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2SC1943 3W 35V 400MA TO-220 CASE

(---------TRA0901)

GENERICO

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2SC1945 PO18W PI0.5W 21-30MHZ

(---------TRA0305)

GENERICO

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2SC1946 PO32W PI6W 174MHZ 12.5V T-31

2SC1946 PO32W PI6W 174MHZ 12.5V T-31

(---------TRA0249)

MITSUBISHI

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2SC1946A(=2SC2540) PO30W PI3W 13.5V175MHZ T-31E

2SC1946A(=2SC2540) PO30W PI3W 13.5V175MHZ T-31E

(---------TRA0014)

MITSUBISHI
MITSUBISHI RF POWER TRANSOSTOR
2SC1946A
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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2SC1947 3.5W 175MHZ 13.5V T-8E CASEMITSUBISHI
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2SC1969 PO22W PI1W 21-30MHZ

(---------TRA0306)

GENERICO

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2SC1971 PO7W PI0.6W 175MHZ 12.5V TO-220

2SC1971 PO7W PI0.6W 175MHZ 12.5V TO-220

(---------TRA0226)

MITSUBISHI
Datasheet
2SC1971 - NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) - Mitsubishi Electric Semiconductor
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2SC2026 NPN 25V 400MW UHF TO-92

(---------TRA0020)

GENERICO

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2SC2075 PO16W PI0.3W 21-30MHZ

(---------TRA0307)

GENERICO

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2SC2094 PO17W PI2W 175MHZ 12.5V T-31
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2SC2097 PO75W PI4W 1.5-30MHZ 12.5V316
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2SC2133 PO34W PI4.5W 225MHZ 28V 311-11
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2SC2134 PO60W PI12W 225MHZ 28V 311-11
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2SC2166 PO5W PI0.2W 21-30MHZ

(---------TRA0308)

GENERICO

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2SC2237 PO7.5W PI0.3W 175MHZ 12.5VT31
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2SC2290 PO80W PI4W 1.5-30MHZ 12.5V211
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2SC2312C PO30W PI1.2W 21-30MHZ

(---------TRA0309)

GENERICO

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2SC2538 NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TO-92L

2SC2538 NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TO-92L

(---------TRA1599)

MITSUBISHI
MITSUBISHI RF POWER TRANSISTOR
2SC2538
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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2SC2539 PO17W PI0.5W 175MHZ 12.5VT-31
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2SC2540(=2SC1946A) PO40W PI6W 13.5V175MHZ T-40E CASE
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2SC2630 PO50W PI10W 175MHZ 12.5V 316-01 CASE

2SC2630 PO50W PI10W 175MHZ 12.5V 316-01 CASE

(---------TRA0258)

MITSUBISHI
Datasheet
2SC2630 - NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)  - Mitsubishi Electric Semiconductor
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2SC2639 15W 175MHZ 12.5V 316A-01

2SC2639 15W 175MHZ 12.5V 316A-01

(---------TRA0017)

GENERICO

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2SC2694 PO70W PI15W 175MHZ 12.5V 316-01
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2SC2695 10A 35V NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE T-31E CASE
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2SC2782 PO80W PI18W 175MHZ 12.5V 316-01 (MRF 247)
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2SC2879 PO120W PI7W 1.5-30MHZ 12.5V211
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2SC2904 PO100W PI7W 1.5-30MHZ 12.5V316
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2SC2905 PO50W PI15W 400-512MHZ 12.5V
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2SC3020 PO3W PI0.3W 400-512MHZ 12.5VT31
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2SC3021 (TNT)

2SC3021 (TNT)

(---------TRA0477)

GENERICO

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2SC3022 PO18W PI6W 500MHZ 12.5VCC

2SC3022 PO18W PI6W 500MHZ 12.5VCC

(---------TRA0507)

MITSUBISHI

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2SC3074 NPN SWITCHING 5A 60V 2-7B2ACASE

2SC3074 NPN SWITCHING 5A 60V 2-7B2ACASE

(---------TRA0679)

TOSHIBA
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3074
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2SC3133 PO18W PI0.5E 21-30MHZ

(---------TRA0310)

GENERICO

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2SC3153 NPN 6A 800V 100W TO-247

2SC3153 NPN 6A 800V 100W TO-247

(---------TRA0674)

GENERICO

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2SC3240 PO10W PI7W 1.5-30MHZ 12.5V211
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2SC3241 PO75W PI4W 1.5-30MHZ 12.5V211
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2SC3298

(---------TRA1523)

GENERICO

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2SC3300 SILICON NPN POWER TRANSISTOR TO-3PN CASE

2SC3300 SILICON NPN POWER TRANSISTOR TO-3PN CASE

(---------TRA1050)

SK
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Low saturation voltage
·Wide area of safe operation
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2SC9013 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS TO-92 CASE

(---------TRA1051)

GENERICO
Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or
spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments.
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2SD1138

(---------TRA1254)

GENERICO

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2SK3074 VHF-UHF MOSFET 630MW 14.9DB30V SC-62 SMD CASE

2SK3074 VHF-UHF MOSFET 630MW 14.9DB30V SC-62 SMD CASE

(---------TRA0620)

TOSHIBA
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
2SK3074
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2SK44 N-CH FET.AF.IN. 20V

2SK44 N-CH FET.AF.IN. 20V

(---------TRA0631)

GENERICO

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74LCX16374

(---------TRA6975)

GENERICO

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74LCX16543 LOW VOLTAGE 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER WITH 5V TOLERANT INPUTS AND OUTPUTS

74LCX16543 LOW VOLTAGE 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER WITH 5V TOLERANT INPUTS AND OUTPUTS

(---------TRA6914)

GENERICO
74LCX16543
Low Voltage 16-Bit Registered Transceiver
with 5V Tolerant Inputs and Outputs
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AF280 PNP 800MA 10V 800MHZ TO39 CASE
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BF199 NPN RF TRANSISTOR TO-92

(---------TRA0597)

GENERICO

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BF494 NPN 30MA 30V SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92E CASE

(---------TRA0903)

GENERICO
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTORS
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BFG135 NPN 7GHZ WIDEBAND TRANSISTORSOT-223 CASE
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BFG196 NPN SILICON RF TRANSISTOR 12V 150MA SOT-223
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BFR540 NPN 9GHZ 500MW 120MA 20V SOT23 CASE

BFR540 NPN 9GHZ 500MW 120MA 20V SOT23 CASE

(---------TRA0629)

PHILIPS
Product specification
Supersedes data of 1995 September
1999 Aug 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFR540
NPN 9 GHz wideband transistor
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BFR90 TRANSISTOR NPN 50MA 12V 500MW6GHZ TO-50
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BFR92A NPN 5 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR SOT23

BFR92A NPN 5 GHZ WIDEBAND TRANSISTOR SOT23

(---------TRA1015)

NXP
BFR92A
NPN 5 GHz wideband transistor
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BFW92A NPN 25MA 15V 550MW 1.6GHZ

(---------TRA0012)

GENERICO

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BFY90 NPN SILICON PLANAR EPITAXIALTO-72 CASE

BFY90 NPN SILICON PLANAR EPITAXIALTO-72 CASE

(---------TRA0491)

VISHAY
SILICON PLANAR EPITAXIAL
NPN TRANSISTORDESCRIPTION
The BFY90 is a low noise transistor intended for
use in broad and narrow-band amplifiers up to
1GHz.
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DTC144EM NPN 30MA 50V VMT3 EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

DTC144EM NPN 30MA 50V VMT3 EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

(---------TRA1059)

ROHM
DTC144EM / DTC144EE / DTC144EUA
Transistors DTC144EKA / DTC144ESA
1/3
Digital transistors (built-in resistors)
DTC144EM / DTC144EE / DTC144EUA /
DTC144EKA / DTC144ESA
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JO2015A PO50W PI5W 100-400MHZ 28V 316A
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LCP3121RL OVERVOLTAGE AND OVERCURRENTPROTECION FOR TELECOM LINE SO-8 CASE

LCP3121RL OVERVOLTAGE AND OVERCURRENTPROTECION FOR TELECOM LINE SO-8 CASE

(---------TRA6919)

ST
LCP3121
OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT
PROTECTION FOR TELECOM LINE
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LP1500 1W LOW NOISE HIGH LINEARITYPACKAGED PHEMT SOT-89 CASE

LP1500 1W LOW NOISE HIGH LINEARITYPACKAGED PHEMT SOT-89 CASE

(---------TRA0682)

FILTRONIC
LP1500SOT89
LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT

FEATURES
¨ 27.5 dBm Output Power at 1-dB Compression at 1.8 GHz
¨ 17 dB Power Gain at 1.8 GHz
¨ 1.0 dB Noise Figure
¨ 44 dBm Output IP3 at 1.8 GHz
¨ 50% Power-Added Efficiency
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LP2950CDT-3.3 TO-252 CASE

(---------TRA0741)

FILTRONIC

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MFE201 NPN 1.8W 175MHZ 600MA TO-72CASE
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MPS6601 TO-92

(---------TRA1073)

GENERICO

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MRF1150MA PO150W PI25W 806-960MHZ 50V
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MRF134 PO5W PI0.2W 225MHZ 28V 211-07/2
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MRF136 PO15W PI0.38W 225MHZ 28V 211-07 CASE

MRF136 PO15W PI0.38W 225MHZ 28V 211-07 CASE

(---------TRA0318)

M/A-COM

MRF136 PO15W PI0.38W 225MHZ 28V 211-07 CASE
The RF MOSFET Line
Designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up


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MRF137 PO30W PI0.75W 225MHZ 28V 211-07

MRF137 PO30W PI0.75W 225MHZ 28V 211-07

(---------TRA0320)

M/A-COM

The RF MOSFET Line      
N–Channel Enhancement–Mode
Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance
Output Power = 30 Watts
Minimum Gain = 13 dB
Efficiency — 60% (Typical)


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MRF142 PO150W PI10W 225MHZ 28V 211-11
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MRF150 PO150W PI2.9W 150MHZ  50V 211-11, STYLE 2 CASE

MRF150 PO150W PI2.9W 150MHZ 50V 211-11, STYLE 2 CASE

(---------TRA0024)

M/A-COM
The RF MOSFET Line
RF Power Field-Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode
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MRF151 PO150W PI7.5W 225MHZ 50V 211-11 STYLE 2 CASE
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MRF1513

MRF1513

(---------TRA0526)

GENERICO

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MRF1518T1 8W 12.5V 520MHZ MOSFET CANAL N-CASE466-03, STYLE 1 PLD-1.5 PLASTIC

MRF1518T1 8W 12.5V 520MHZ MOSFET CANAL N-CASE466-03, STYLE 1 PLD-1.5 PLASTIC

(---------TRA0530)

MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET
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MRF151G PO300W PI7.5W 175MHZ 50V 375-04 STYLE 2 CASE

MRF151G PO300W PI7.5W 175MHZ 50V 375-04 STYLE 2 CASE

(---------TRA0333)

M/A-COM

The RF MOSFET Line
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET


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MRF154 PO600W PI12W 150MHZ 50V

MRF154 PO600W PI12W 150MHZ 50V

(---------TRA0315)

GENERICO

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MRF157 PO600W PI6W 150MHZ 50V 368-02/2
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MRF161 PO5W PI0.4W 500MHZ 28V 244-04
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MRF166C PO20W PI0.4W 500MHZ 28V 319-06
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MRF171 PO45W PI1.4W 225MHZ 28V 211-07
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MRF173 PO80W PI4W 225MHZ 28V 211-11
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MRF173CQ PO80W PI4W 220MHZ 28V 316-01
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MRF174 PO125W PI8.3W 225MHZ 28V 211-11
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MRF175GU PO150W PI9.5W 500MHZ 28V 375-0
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MRF175GV PO200W PI8W 225MHZ 28V 375-03
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MRF176GU PO150W PI6W 500MHZ 50V 375-03
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MRF176GV PO200W PI4W 225MHZ 50V 375-03
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MRF177 PO100W PI6.4W 500MHZ 28V 744A-02
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MRF177M PO100W PI6.4W 500MHZ 28V 390A-1
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MRF1946 PO30W PI3W 175MHZ 12.5V 211-07
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MRF237 PO4W PI0.25W 175MHZ 12.5V TO-39
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MRF238 PO30W PI7W 175MHZ 12.5V 145A-09
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MRF247 NPN 75W 175MHZ SILICON RF POWER TRANSISTOR 316-01 CASE STYLE 1

MRF247 NPN 75W 175MHZ SILICON RF POWER TRANSISTOR 316-01 CASE STYLE 1

(---------TRA0018)

GENERICO
75 W, 175 MHz
CONTROLLED Q
RF POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
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MRF316 PO80W PI8W 30-200MHZ 28V 316-01
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MRF317 PO100W PI12.5W 30-200MHZ 28V316
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MRF325 PO30W PI4.3W 100-400MHZ 28V316
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MRF326 PO40W PI8W 100-400MHZ 28V 316
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MRF327 PO80W PI15W 100-400MHZ 28V 316
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MRF329 PO100W PI20W 100-400MHZ 28V333
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MRF338 PO80W PI15W 400-512MHZ 28V 333-0
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MRF392 PO125W PI20W 100-400MHZ 28V744A
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MRF393 PO100W PI18W 100-500MHZ 28V744A
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MRF475 PO12W PI0.8W 21-30MHZ

(---------TRA0301)

GENERICO

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MRF476 PO3W PI0.1W 21-30MHZ TO220

(---------TRA0302)

GENERICO

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MRF477 PO40W PI1.2W 21-30MHZ

(---------TRA0303)

GENERICO

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MRF492 NPN 70W 50MHZ 12.5V SILICONRF POWER TRANSISTOR 211-11 STYLE 1 CASE

MRF492 NPN 70W 50MHZ 12.5V SILICONRF POWER TRANSISTOR 211-11 STYLE 1 CASE

(---------TRA0386)

MOTOROLA
The RF Line
NPN SILCON RF POWER TRANSISTOR
70 W, 50 MHz
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
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MRF497 PO60W PI1W 21-30MHZ

(---------TRA0304)

GENERICO

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MRF557 PO1.5W PI0.23W 806-960MHZ 12V

MRF557 PO1.5W PI0.23W 806-960MHZ 12V

(---------TRA0414)

MOTOROLA

The RF Line
Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the
800 MHz frequency range.


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MRF571 8GHZ 50MA (1.8DB1GHZ) MACRO-X CASE

(---------TRA0438)

MOTOROLA
RF SMALL-SIGNAL TRANSISTORS
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MRF581 PO0.6W PI0.03W 400-512MHZ 12.5V MACRO-X CASE

(---------TRA0275)

MOTOROLA
RF SMALL-SIGNAL TRANSISTORS
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MRF5812R1 LOW POWER 15.5DB 500MHZ SO-8 CASE

MRF5812R1 LOW POWER 15.5DB 500MHZ SO-8 CASE

(---------TRA0678)

MOTOROLA
MRF58Features
· Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
· Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz
· Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
· Cost Effective SO-8 package
RF12R1 LOW POWER 15.5DB 500MHZ SO-8 CASE
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MRF607 PI1.75W PO0.12W 175MHZ 12V TO-39
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MRF629 PO2W PI0.3W 400-512MHZ 12.5VTO39

MRF629 PO2W PI0.3W 400-512MHZ 12.5VTO39

(---------TRA0278)

MOTOROLA
NPN SILICON RF POWER TRANSISTORDESCRIPTION:
The ASI MRF629 is Designed for
UHF large signal, FM Land Mobile
Applications up to 470 MHz
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MRF630 PO3W PI0.33W 400-512MHZ 12.5V TO-205AD CASE
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MRF641 PO15W PI2.5W 400-512MHZ 12.5V 316-01 STYLE 1
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MRF644 PO25W PI5.9W 470-512MHZ 12.5V
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MRF646 PO40W PI13W 400-512MHZ 12.5V316
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MRF648 PO60W PI22W 470-512MHZ 12.5V316
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MRF650 PO50W PI11.7W 400-512MHZ 12.5V
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MRF658 PO65W PI25W 400-512MHZ 12.5V316
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MRF660 7W 470MHZ 12.5V TO-220

(---------TRA0039)

GENERICO

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MRF839F PO3W PI0.46W 806-960MHZ 12V319
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MRF840 PO10W PI2.5W 806-960MHZ 12VM-X
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MRF846 PO40W PI15W 806-960MHZ 12V 319-6
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MRF847 PO45W PI16W 806-960MHZ 12V 319-6
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MRF898 PO60W 850-960MHZ 7DB 333A-02
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MRF951 PO1W 8GHZ 100MA MACRO-X

(---------TRA0439)

GENERICO

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MS1649 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF CLASS C MOBILE APPLICATIONS TO-39 CASE

MS1649 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF CLASS C MOBILE APPLICATIONS TO-39 CASE

(---------CIM0021)

MICROSEMI
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
UHF CLASS C MOBILE APPLICATIONS
DESCRIPTION:Features
· 470 MHz
· POUT = 3W
· GP = 9.5dB MINIMUM
· COMMON EMITTER CONFIGURATION
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NE556N

(---------TRA2146)

GENERICO

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SD1127 4 WATTS 75MHZ 123.5V TO-39
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SD1422 PO25W PI6W 400-512MHZ 12.5V311
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TUERCA BRONCE 8/32 P/TRANSISTORES

(---------TRA0045)

GENERICO

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ZTX651 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS TO-92

(---------TRA6900)

ZETEX
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX650
ZTX651
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ZTX751 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS TO-92

(---------TRA6901)

ZETEX
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
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